সিলিকন ক্যাপাসিট্যান্স
-
SSLC471M2B79A
সুযোগ • স্পেসিফিকেশন একক স্তর ক্যাপাসিটরের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য।• প্রকার: SSLC471M2B79A স্ট্রাকচার • ইলেকট্রোড টপসাইড (অ্যানোড): AL =3um ±3000A ব্যাকসাইড (ক্যাথোড): Ti /Au =5000A ~ 6000A • অস্তরক ধ্রুবক (SiNx) : 7.5 সাইজ • চিপ সাইজ (B20mm :020mm) * 0.820 ± 0.02 মিমি • চিপের আকার (ডাইসিংয়ের পরে) : 0.790 ± 0.03 মিমি * 0.790 ± 0.03 মিমি • পুরুত্ব: 0.210 ± 0.015 মিমি • প্যাটার্ন অঙ্কন: প্রতি চিত্র.1 বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য -
SSLC122M2A79A
সুযোগ • স্পেসিফিকেশন একক স্তর ক্যাপাসিটরের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য।• প্রকার: SSLC122M2A79A স্ট্রাকচার • ইলেকট্রোড টপসাইড (অ্যানোড): AL =3um ±3000A ব্যাকসাইড (ক্যাথোড): Ti /Au =5000A ~ 6000A • অস্তরক ধ্রুবক (SiNx): 7.5 সাইজ • চিপ সাইজ (B20mm) 0±0. * 0.820 ± 0.02 মিমি • চিপের আকার (ডাইসিংয়ের পরে) : 0.790 ± 0.03 মিমি * 0.790 ± 0.03 মিমি • পুরুত্ব: 0.210 ± 0.015 মিমি • প্যাটার্ন অঙ্কন: প্রতি চিত্র.1 বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য -
SSLC103M1A79A
সুযোগ • স্পেসিফিকেশন একক স্তর ক্যাপাসিটরের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য।• প্রকার: SSLC103M1A79A স্ট্রাকচার • ইলেকট্রোড টপসাইড (অ্যানোড): AL =3um ±3000A ব্যাকসাইড (ক্যাথোড): Ti /Au =5000A ~ 6000A • অস্তরক ধ্রুবক (SiNx): 7.5 সাইজ • চিপ সাইজ (B0±02mm) * 0.820 ± 0.02 মিমি • চিপের আকার (ডাইসিংয়ের পরে) : 0.790 ± 0.03 মিমি * 0.790 ± 0.03 মিমি • পুরুত্ব: 0.210 ± 0.015 মিমি • প্যাটার্ন অঙ্কন: প্রতি চিত্র.1 বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য -
SSLC102M1C80A
সুযোগ • স্পেসিফিকেশন একক স্তর ক্যাপাসিটরের ক্ষেত্রে প্রযোজ্য।• প্রকার: SSLC102M1C80A স্ট্রাকচার • ইলেকট্রোড টপসাইড (অ্যানোড): AL =3um ±3000A ব্যাকসাইড (ক্যাথোড): Ti /Au =5000A ~ 6000A • অস্তরক ধ্রুবক (SiNx) : 7.5 সাইজ • চিপ সাইজ (B0±0 0mm) * 0.830 ± 0.02 মিমি • চিপের আকার (ডাইসিংয়ের পরে) : 0.800 ± 0.03 মিমি * 0.800 ± 0.03 মিমি • বেধ: 0.210 ± 0.015 মিমি • প্যাটার্ন অঙ্কন: প্রতি চিত্র.1 বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য
